Yarim o'tkazgich elementlarning element bazasi doimiy ravishda o'sib bormoqda. Ushbu sohadagi har bir yangi ixtiro, aslida, elektron tizimlarning butun g'oyasini o'zgartiradi. Sxemalarni loyihalash imkoniyatlari o'zgarib bormoqda, ularga asoslangan yangi qurilmalar paydo bo'ladi. Birinchi tranzistor ixtiro qilinganidan beri ko'p vaqt o'tdi (1948). "p-n-p" va "n-p-n" tuzilmalari, bipolyar tranzistorlar ixtiro qilingan. Vaqt o'tishi bilan MIS tranzistori ham paydo bo'ldi, u elektr maydoni ta'sirida sirtga yaqin yarimo'tkazgich qatlamining elektr o'tkazuvchanligini o'zgartirish printsipi asosida ishlaydi. Demak, bu elementning boshqa nomi maydondir.
MIS (metall-dielektrik-yarim o'tkazgich) qisqartmasi ushbu qurilmaning ichki tuzilishini tavsiflaydi. Haqiqatan ham, uning eshigi drenaj va manbadan yupqa o'tkazmaydigan qatlam bilan ajratilgan. Zamonaviy MIS tranzistorining eshik uzunligi 0,6 mkm. U orqali faqat elektromagnit maydon o'tishi mumkin - bu yarimo'tkazgichning elektr holatiga ta'sir qiladi.
Keling, FET qanday ishlashini ko'rib chiqamiz va uning asosiy farqi nimada ekanligini bilib olaylik.bipolyar "aka". Kerakli potentsial paydo bo'lganda, uning eshigida elektromagnit maydon paydo bo'ladi. Drenaj-manba birikmasining qarshiligiga ta'sir qiladi. Bu qurilmadan foydalanishning baʼzi afzalliklari.
- Ochiq holatda, drenaj manbasining o'tish qarshiligi juda kichik va MIS tranzistori elektron kalit sifatida muvaffaqiyatli qo'llaniladi. Masalan, u yukni manyovr qilish orqali operatsion kuchaytirgichni boshqarishi yoki mantiqiy zanjirlarda ishtirok etishi mumkin.
- Shuningdek, qurilmaning yuqori kirish empedansi ham diqqatga sazovordir. Bu parametr past oqim zanjirlarida ishlaganda juda mos keladi.
- Drenaj manbai ulanishining past sig'imi MIS tranzistoridan yuqori chastotali qurilmalarda foydalanish imkonini beradi. Jarayon davomida signal uzatishda hech qanday buzilish kuzatilmaydi.
- Elementlarni ishlab chiqarishda yangi texnologiyalarning rivojlanishi maydon va bipolyar elementlarning ijobiy sifatlarini birlashtirgan IGBT tranzistorlarini yaratishga olib keldi. Ularga asoslangan quvvat modullari yumshoq starterlar va chastota konvertorlarida keng qo'llaniladi.
Ushbu elementlarni loyihalash va ular bilan ishlashda MIS tranzistorlari kontaktlarning zanglashiga olib keladigan haddan tashqari kuchlanishiga va statik elektrga juda sezgir ekanligini hisobga olish kerak. Ya'ni, boshqaruv terminallariga teginish paytida qurilma ishlamay qolishi mumkin. O'rnatish yoki demontaj qilishda maxsus topraklamadan foydalaning.
Ushbu qurilmadan foydalanish istiqbollari juda yaxshi. Rahmatuning noyob xususiyatlari, u turli elektron uskunalarda keng qo'llanilishini topdi. Zamonaviy elektronikadagi innovatsion tendentsiya turli zanjirlarda, jumladan, induksion zanjirlarda ishlash uchun quvvat IGBT modullaridan foydalanish hisoblanadi.
Ularni ishlab chiqarish texnologiyasi doimiy ravishda takomillashtirilmoqda. Panjurning uzunligini o'lchash (qisqartirish) bo'yicha ishlanmalar davom etmoqda. Bu qurilmaning yaxshi ishlashini yaxshilaydi.
